fet与mosfet的区别?N沟道耗尽型管：漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为负值，电流随正向电压增大而增大，转移特性曲线在一、四象限。【特点】N沟道增强型管：删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启，有一个开启电压Ugs；电流随栅源间正向电压增大而增大，转移特性曲线在第一象限，和三极管类似。

MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管，N沟道耗尽型管；P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。【特点】N沟道增强型管：删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启，有一个开启电压Ugs；电流随栅源间正向电压增大而增大，转移特性曲线在第一象限，和三极管类似。N沟道耗尽型管：漏源之间存在导电沟道，无需加删压就能导电，开启电压Ugs（off）为负值，电流随正向电压增大而增大，转移特性曲线在一、四象限。

一、指代不同1、耗尽型：即在0栅偏压时就能够导电的器件。2、增强型：即在0栅偏压时是不导电的器件，也就是只有当栅极电压的大小大于其阈值电压时才能出现导电沟道的场效应晶体管。二、特点不同1、耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。2、增强型：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压(必须小于0.5V)时才产生沟道而导电；